क्वार्ट्ज वेफर सफाई नाव

क्वार्ट्ज वेफर सफाई नाव

क्वार्ट्ज वेफर सफाई नाव एक उपकरण है जिसका उपयोग अर्धचालक निर्माण प्रक्रिया में वेफर सफाई के लिए किया जाता है।
सामग्री: 99.99% क्वार्ट्ज़

विवरण

विशेषताएँ

 

  • उच्च तापमान प्रतिरोध
  • संक्षारण प्रतिरोध
  • प्रतिरोध पहन
  • साफ़ करने में आसान

उपयोग: सतह के दूषित पदार्थों को हटा दें

सेमीकंडक्टर चिप्स की विनिर्माण गुणवत्ता सुनिश्चित करें।

 

आवेदन

1. पूर्व-प्रसार सफ़ाई

उच्च तापमान प्रसार या ऑक्सीकरण प्रक्रियाओं से पहले कार्बनिक, धातु और कण संदूषकों को हटाने के लिए गीली बेंच या विसर्जन सफाई चरणों (उदाहरण के लिए, आरसीए सफाई) के माध्यम से वेफर्स को परिवहन करने के लिए उपयोग किया जाता है।

2. पोस्ट -सीएमपी (रासायनिक यांत्रिक प्लानेराइजेशन) सफाई

स्लरी अवशेषों और सतह दोषों को खत्म करने के लिए पॉलिशिंग के बाद वेफर्स को पकड़कर रखता है, जिससे बाद के लिथोग्राफी चरणों के लिए इष्टतम समतलता सुनिश्चित होती है।

3. सामने{{1}अंत{{2}का {{3}लाइन (FEOL) निर्माण

महत्वपूर्ण एफईओएल सफाई चरणों में नियोजित जहां गेट ऑक्साइड वृद्धि, एपिटैक्सियल जमाव, या आयन आरोपण के लिए अल्ट्रा-स्वच्छ सतहों की आवश्यकता होती है।

4. लाइन (बीईओएल) प्रोसेसिंग का बैक{{1}अंत-ऑफ़{3}}

इंटरकनेक्ट निर्माण के बाद फोटोरेसिस्ट, ईच बायप्रोडक्ट्स और धातु की अशुद्धियों को हटाने के लिए पोस्ट {{0}ईच या पोस्ट-डिपॉजिशन सफाई के दौरान वेफर्स का समर्थन करता है।

5. उन्नत पैकेजिंग

2.5डी/3डी आईसी पैकेजिंग में डाइसिंग या बॉन्डिंग से पहले वेफर स्तर की सफाई की सुविधा प्रदान करता है, जिससे विश्वसनीय इंटरकनेक्ट के लिए संदूषण मुक्त इंटरफेस सुनिश्चित होता है।

6. फोटोवोल्टिक विनिर्माण

सिलिकॉन सब्सट्रेट को साफ करने, बेहतर प्रकाश अवशोषण और ऊर्जा रूपांतरण दक्षता के लिए सतह की गुणवत्ता बढ़ाने के लिए सौर सेल उत्पादन में उपयोग किया जाता है।

 

गुण

 

भौतिक गुण

मान

पवित्रता

>99.99%

घनत्व

2.2 ग्राम/सेमी3

पारदर्शिता

>90%

मोहस कठोरता

5.5--6.5

विरूपण बिंदु

1280 डिग्री

मृदुकरण बिंदु

1750 डिग्री

एनीलिंग प्वाइंट

1250 डिग्री

विशिष्ट ऊष्मा (20 - 350 डिग्री)

670 जे/किग्रा. डिग्री

तापीय चालकता (20 डिग्री)

1.4W/m. डिग्री

ताप चालकता (w/mk,1000 डिग्री)

1.0-1.2

अपवर्तनांक

1.4585

थर्मल विस्तार का गुणांक

5.510 -7सेमी/सेमी. डिग्री

गर्म - कार्यशील तापमान

1750--2050 डिग्री

लघु - अवधि सेवा तापमान

1450 डिग्री

लंबी - अवधि सेवा तापमान

1100 डिग्री

 

रासायनिक गुण

मान

एसिड प्रतिरोधी

प्रबल अम्ल (एचएफ को छोड़कर), प्रबल क्षार, कार्बनिक घोल

उच्च तापमान संक्षारण प्रतिरोधी

उत्कृष्ट

धातु अशुद्धता सामग्री

<5 पीपीएम

 

विद्युत गुण

मान

प्रतिरोधकता

7107Ω.सेमी

इन्सुलेशन ताकत

250~400Kv/सेमी

पारद्युतिक स्थिरांक

3.7~3.9

ढांकता हुआ अवशोषण गुणांक

<410-4

ढांकता हुआ हानि गुणांक

<110-4

 

यांत्रिक विशेषताएं

मान

सम्पीडक क्षमता

1100MPa

झुकने की शक्ति

67 एमपीए

तन्यता ताकत

48 एमपीए

पिज़ोन अनुपात

0.14~0.17

यंग मापांक

72000MPa

अपरूपण - मापांक

31000MPa

 

सफाई के तरीके

 

विसर्जन सफाई:

वेफर को सफाई नाव में रखें, फिर सफाई नाव को सफाई तरल में डुबोएं, और सफाई प्रभाव को बेहतर बनाने के लिए वेफर नाव को उठाकर सफाई तरल और वेफर सतह के बीच संपर्क बढ़ाएं।

 

स्प्रे सफाई:

सफाई नाव को स्प्रे कक्ष में सीधा खड़ा करें, और दूषित पदार्थों को हटाने के लिए वेफर सतह पर सफाई तरल को स्प्रे करने के लिए नोजल का उपयोग करें। 

 

नावों की सफाई का महत्व:

  • वेफर की सफाई सुनिश्चित करें: सेमीकंडक्टर चिप्स की विनिर्माण गुणवत्ता के लिए एक साफ वेफर सतह महत्वपूर्ण है, और सफाई नाव सफाई प्रक्रिया में महत्वपूर्ण भूमिका निभाती है।
  • सेमीकंडक्टर चिप्स की विश्वसनीयता सुनिश्चित करें: चिप्स की विश्वसनीयता सुनिश्चित करें और सतह के दूषित पदार्थों को हटाकर उत्पाद दोषों को कम करें।
  • सेमीकंडक्टर चिप्स की उपज में सुधार: वेफर्स की सफाई में सुधार, जिससे सेमीकंडक्टर चिप्स की उपज में सुधार होगा।

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